Laminated HZO on InAs: A study of as-deposited ferroelectricity
En kall eftermiddag den 23 december 1947 hände något fantastiskt på ett laboratorium i New Jersey, USA. Forskare vid Bell laboratoriet demonstrerade för första gången en funktionell transistor! Transistorn är en elektrisk komponent som har tre terminaler där man kan ansluta andra komponenter. Om man leder en ström eller spänning genom ett par av terminalerna kan man kontrollera strömmen genom ett As the limits of transistor feature size scaling is reaching its saturation, new innovations are needed to prevent performance loss. High performance transistors on the III/V semiconductor platform implemented with ferroelectric oxides might in the future satisfy this demand. But the integration of ferroelectrics on materials such as InAs degrades the substrate and other vital components from the
