Investigating Edge Termination in Vertical FinFET in Sentaurus
Halvledare och transistorer är en av de mest banbrytande upptäckterna i modern tid, och är själva hjärtat i modern teknik. Halvledare är material som kan leda elektrisk ström, men bara under vissa förhållanden, vilket gör dem ovärderliga för elektroniska komponenter som transistorer, dioder och solceller. Från våra mobiltelefoner och datorer till kraftsystem och fordon, så finns komponenter gjordaThis thesis explores edge termination techniques to optimize the breakdown voltage of vertical GaN FinFETs with a 5 µm drift layer using Sentaurus TCAD simulations. Effective edge termination is crucial for managing electric field distribution and mitigating field crowding, which can otherwise cause premature breakdown. Several methods, including field plates, beveled edges, and ion implantation,
