Electron Transport in Semiconductor Nanowires
Popular Abstract in Swedish Denna avhandling behandlar tillväxt av och elektriska mätningar på halvledande nanotrådar av indiumarsenid (InAs) och kombinationer av InAs och indiumfosfid (InP). En nanotråd är som namnet antyder en tunn solid tråd, som påminner om ett hårstrå fast med en diameter på typiskt 50 nm (en nanometer är en miljarddels meter, 10^-9 m) och längden kan vara allt från 100 nm upIn this thesis, semiconductor nanowires are studied from the point of view of growth and electrical properties. The growth of nanowires is done by chemical beam epitaxy (CBE), an ultra-high vacuum technique allowing a precise control of precursor deposition and low growth rates. In conventional epitaxy, growth is usually two or three- dimensional, depending on growth conditions and material combin